| MARCA | Infineon |
| produtos | BSM10GD120DN2 |
| Descrição | Transistor |
| Código Interno | 532962 |
| Peso | 1 |
| Especificação técnica | Configuração: Full Bridge Máximo. Tensão coletor-emissor VCEO: 1200 V Tensão de saturação do coletor-emissor: 2,7 V Coletor DC a 25 C: 15 A Corrente de fuga do emissor de porta: 120 nA Dp - Dissipação de energia: 80 W Pacote/Capa: EconoPack 2 Temperatura mínima de trabalho: - 40 C Temperatura máxima de trabalho: + 150 C Embalagem: Bandeja Marca: Infineon Technologies Altura: 17 mm Comprimento: 107,5 mm Tensão máxima do portão-emissor: 20 V Estilo de montagem: montagem em chassi Tipo de produto: Módulos IGBT Subcategoria: IGBTs Tecnologia: Sim Largura: 45,5 mm Nome da peça: SP000100367 BSM10GD120DN2BOSA1 Peso unitário: 180 g |
Entre em contato conosco para fazer o pedido para oferecer preços competitivos e prazo de entrega para Infineon - BSM10GD120DN2 Transistor Número, você também pode perguntar a algum outro número de modelo. Podemos oferecer preços competitivos e prazos de entrega com ampla rede de distribuição de produtos emBrasil Mercado de produtos industriais.
VENDEMOS SOMENTE PRODUTOS NOVOS E ORIGINAIS!
Nossa empresa está autorizada :relation da Infineon
